泛林干式光刻胶在后道工艺中的图案化能力目前已在 0.33 (Low) NA EUV 光刻机上得到了验证，未来还可扩展至逐步投入使用的 0.55 (High) NA EUV 光刻平台上。

在科技发展的浪潮中，加州的泛林集团（Lam Research）于本月14日揭开了一个激动人心的新篇章——它的干式光刻胶技术成功通过了国际知名机构imec的认证。这项技术的革新之处在于，它能够在逻辑半导体的后道工艺中，实现28nm间距的直接图案化，完美满足了2nm及以下先进制程的需求。

近日，泛林集团（Lam ...

IT之家 1 月 26 日消息，泛林集团 Lam Research 美国加州当地时间本月 14 日宣布，其干式光刻胶技术成功通过 imec 认证，可直接在逻辑半导体后道工艺（IT之家注：BEOL，互联层制作）中实现 28nm 间距的直接图案化，能满足 ...

Lam Research Corporation 今天宣布，其创新的干光刻胶技术已获得纳米电子和数字技术领域领先的研究和创新中心 imec 的认证，可直接印刷 2 纳米及以下的 28 纳米间距线路后端 (BEOL) ...

在半导体行业的创新舞台上，泛林集团（Lam Research）于加州本月14日宣布了一项激动人心的新进展——干式光刻胶技术获得了imec的认证，可以在逻辑半导体后道工艺（BEOL）中实现28nm间距的直接图案化。这一成果的意义远不止于数字，更是对未来制程的挑战和机遇。